シリコン深掘り装置

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シリコン(Si)の高速かつ高異方性の深掘りが可能な、ボッシュプロセス対応の装置です。

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ICPエッチング装置

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放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用しており、高密度プラズマを安定して生成し、高精度のエッチングが可能です。

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RIE装置

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創業当時から培ってきた豊富な経験と実績をもとに開発した平行平板型RIE(反応性イオンエッチング)装置です。

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XeF2エッチング装置

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MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層(Si)エッチングを目的とするXeF2エッチング装置です。

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