ICPエッチング装置 RIE-800iP
全てを進化させた次世代プロセス用装置

概要

放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）を採用した高密度プラズマエッチング装置です。本装置は、ロードロック室を備えプロセス再現性や安定性に優れた研究開発用装置です。

特長

新型ICPソース「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」

高RFパワー（2 kW以上）を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現します。

大流量排気システム

反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。

下部電極昇降機構

ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保します。

メンテナンスしやすい設計

TMP（ターボ分子ポンプ）をユニット化し交換が容易です。

応用例

・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工

・SiC、SiO₂の高速加工

・強誘電体（PZT、BST、SBT、BT）や電極材料（Pt、Au、Ru、Al）など難エッチング材料のエッチング

・化合物半導体ウエハのプラズマダイシング、薄型化

オプション

難エッチング材料用特殊電極機構


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