ICPエッチング装置 RIE-800iP

概要

放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用した高密度プラズマエッチング装置です。
大流量排気システムの採用により、小流量・低圧力から大流量・高圧力の広い流量・圧力域と、新型トルネードICP®コイルにより高RFパワーの安定した印加が可能なことから、広いプロセスウィンドウを実現しています。

化合物半導体の高精度エッチングから、金属・誘電体などの難エッチング材料の高速加工まで、次世代プロセスを実現するハイスペック装置です。

特長

新型トルネードICP®コイル

ハイパワーの高周波を安定して印加することが可能です。

大流量排気システム

反応室に直結した排気システムを採用することで、低圧(0.3Pa)でも100sccmのガス流量を導入できます。

メンテナンスしやすい設計

TMPやRF電源をユニット化することで、交換しやすい設計になっています。

応用例

・GaN、SiC、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工

・SiO₂の高速加工

・強誘電体や電極材料など難加工材料のエッチング

・化合物半導体のプラズマダイシング

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