液体ソースCVD®装置

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TEOS-SiO2(シリコン酸化膜)やLiquid Source SiN(シリコン窒化膜)形成用の装置です。

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プラズマCVD装置

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化合物半導体やシリコン半導体の製造プロセスでの絶縁膜、パッシベーション膜の形成を目的としたプラズマを用いたCVD装置です。

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DLC成膜装置

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液体ソース、気体ソースによるダイアモンドライクカーボン(Diamond-like Carbon)膜形成用のプラズマCVD装置です。

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ALD装置

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ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜する装置です。

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