Si深掘り装置 RIE-800iPB
ボッシュプロセス対応の高速シリコン深掘り装置

概要

RIE-800iPBは、放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用した、MEMS / TSV、電子デバイス用途の高速シリコン深掘り装置です。実績豊富なICPエッチング装置をベースに、ロバートボッシュ社(独)が有するシリコン深掘りに関する特許(ボッシュプロセス)をライセンス導入して開発しました。高速なエッチングレートとレジストとの選択比を保ちながら、50以上の高アスペクト比加工や低スカロップ加工が可能な高性能装置です。

特長

50以上の高アスペクト比加工
独自のプラズマ発生源と反応器構造を有し、垂直なエッチング形状を維持した状態で、高アスペクト比加工が可能です。

低スカロップ加工
ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したままスカロップの低減が可能です。

豊富なプロセスライブラリ
2003年、サムコは日本の装置メーカーとして初めてボッシュプロセスのライセンスを取得しました。それ以来、蓄積してきたプロセスライブラリにより様々な形状、材料の加工が可能です。

応用例

・MEMS(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど)の製作

・インクジェットプリンタヘッドの加工

・シリコン貫通ビア(TSV)の形成

・パワーデバイス(スーパージャンクションMOSFET)の製作

・プラズマダイシング

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