高速シリコンディープエッチング装置 RIE-800iPB
ø8インチ対応ロードロック装置
概要
本装置は放電方式に誘導結合プラズマ（ICP: Inductively Coupled Plasma）を採用した高速シリコンディープエッチング装置です。ボッシュプロセスに対応し、MEMSやTSVに求められる高速かつ高アスペクト比のシリコンエッチングが可能です。非ボッシュプロセスにも対応しており、ご要望に応じた柔軟な側壁形状制御が可能です。ロードロック室を備え、最大ø8インチウエハの枚葉処理に対応し、優れたプロセス再現性を有します。
特長
- ボッシュプロセス専用ICPコイルにより5,000 Wの高RFパワーを効率よく印加可能
- 0.1秒のガスの高速切り替えにより低スカロップ加工が可能
- レジストとシリコンの選択比 1:500 以上でのエッチングが可能
- 45 μm/min以上の高速シリコン深掘りが可能
- 100 以上の高アスペクト比加工が可能
- チルトを抑制しø8インチウエハでの良好な均一性を実現
- ランピングプロセスに対応（パラメータランピング機能）
- 非ボッシュプロセスによるスカロップフリーと順テーパー加工が可能
- 豊富なプロセスライブラリ
応用例
- MEMS（加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど）の加工
- インクジェットプリンタヘッドの加工
- シリコン貫通ビア（TSV）の形成
- 電子部品の加工
プロセスデータ
技術資料
論文
- Tensile fracture of integrated single-crystal silicon nanowire using MEMS electrostatic testing device
- Cell motility and drug gradients in the emergence of resistance to chemotherapy
- Metal Contamination Evaluation of Via-Last Cu TSV Process Using Notchless Si Etching and Wet Cleaning of the First Metal Layer
- Mesoporous silica layer on plasmonic array: light trapping in a layer with a variable index of refraction
関連ページ
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