製品情報XeF2ドライエッチング装置 VPE-4F

本装置は、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時のSiの犠牲層エッチングに最適化されたXeF₂ドライエッチング装置です。完全ドライプロセスにより、ウエット処理で課題となるスティクション（貼り付き）による構造破壊を防止し、高い歩留まりを実現します。また、乾燥工程や表面処理などの前後工程を削減でき、プロセスフローの簡素化に貢献します。さらに、研究開発用途に適したコンパクト設計により、省スペース環境への導入も容易です。

• 完全ドライプロセスによるスティッキング抑制と自立デバイス破壊リスク低減
• 「ガス供給－封止－排気」サイクルの繰り返し運転とステップ時間の柔軟制御
• プラズマレスプロセスによる電荷ダメージ（電子・イオン衝撃）フリー
• XeF₂によるSi等方性エッチングと酸化膜・窒化膜・有機材料に対する高選択比
• 研究開発用途に最適化されたコンパクト設計

MEMSプロセスにおける、自立デバイス形成時のSi犠牲層エッチング