ICPエッチング装置 RIE-350iPC
ø350mmトレイ対応のICP-RIE装置

概要

RIE-350iPCは、放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用した化合物半導体プロセス用多数枚同時処理用ICPエッチング装置です。本装置はø350mmの大型トレイに対応しています。従来のトルネードICPを発展させた新型ICPソースであるHSTC(Hyper Symmetrical Tornado Coil)電極の搭載で、大面積に対して均一性に優れたエッチングを実現しています。

特長

ø350mmの大型トレイに対応

ø4"×8、ø6"×3枚のウエハの同時処理が可能です。

新型ICPソース "HSTC" の採用

大面積に対して均一性に優れたエッチングを実現しています。

応用例

・GaNの垂直エッチング、逆テーパーエッチング

・PSS(Patterned Sapphire Substrate)加工

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