ICPエッチング装置 RIE-400iP
低圧領域における高精度加工が可能

概要

RIE-400iPは、各種半導体膜や絶縁膜の高精度、高均一加工を目的としたMax.ø4" ウエハ用のロードロック式エッチング装置です。 放電形式には、独自のトルネード型コイルを用いた誘導結合プラズマ (Inductively Coupled Plasma) を採用し、均一な高密度プラズマを生成することが可能です。 また、加工材料や加工内容に応じて適切なプラズマソースを選択することができます。

特長

トルネードICP®の採用

独自のトルネード型コイルの採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させることができ、高い選択比と高精度で均一性の良いエッチングが可能です。

ICPコイルを選択可能

ハイパワー高速エッチング用、低圧微細エッチング用の 2種類のICPコイルから選択することができます。そのため、目的に応じて幅広くソリューションを提要できます。

大流量排気システム

反応室に直結した排気システムを採用することで、低圧(0.3Pa)でも100sccmのガス流量を導入できます。

応用例

・GaN、GaAs、InPなど化合物半導体の高精度エッチング

・半導体レーザやフォトニック結晶の製作

オプション

干渉型エンドポイントモニタ

高精度な終点検出が可能で、狙い通りのエッチング深さに制御できます。

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