ICPエッチング装置 RIE-400iP
高真空領域における高精度加工が可能

概要

RIE-400iPは、各種半導体膜や絶縁膜の高精度、高均一加工を目的としたMax.ø4" ウエハ用のロードロック式エッチング装置です。 放電形式には、独自のトルネード型コイルを用いた誘導結合プラズマ (Inductively Coupled Plasma) を採用し、均一な高密度プラズマを生成することが可能です。 また、加工材料や加工内容に応じて適切なプラズマソースを選択することができます。

特長

新型ICPソース「HSTC: Hyper Symmetrical Tornado Coil

RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現します。

大流量排気システム

反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。

エンドポイントモニタ対応

干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能です。

メンテナンスしやすい設計

TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し交換を容易にしています。

応用例

・GaN、GaAs、InPなど化合物半導体の高精度エッチング

・半導体レーザやフォトニック結晶の製作

オプション

干渉型エンドポイントモニタ

高精度な終点検出が可能で、狙い通りのエッチング深さに制御できます。

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