Technical-Report

2018年

  1. [2018.April]

    2周波を使用したSiNx、SiO2の成膜における応力制御性の向上

  2. [2018.January]

    Aqua Plasmaによるマイクロ流体チップの常温接合

2017年

  1. [2017.October]

    GaNエピタキシャル膜とALD薄膜の界面準位密度

  2. [2017.July]

    逆テーパ加工基板を用いたGaN選択成長技術の紹介

  3. [2017.April]

    ノンボッシュプロセスを用いたシリコン加工データ

  4. [2017.January]

    Aqua Plasma ~画期的な銀電極、銅電極の表面処理技術~

2016年

  1. [2016.October]

    窒化物のバルク基板への取り組み

  2. [2016.July]

    Aqua PlasmaによるLEDパッケージの洗浄技術

  3. [2016.April]

    原子層堆積(ALD)装置の開発 ~パワーデバイスアプリケーション~

  4. [2016.January]

    ICPエッチング装置を用いたGaAsウェハのプラズマスクライビング技術紹介

2015年

  1. [2015.October]

    PD-270STLCを用いた電子部品向けTEOS-SiO2成膜

  2. [2015.July]

    TTIP(Titanium tetraisopropoxide)とTEOSを用いる広範囲な屈折率制御

  3. [2015.April]

    LS-CVD技術を用いたSN-2/SiNxの成膜

  4. [2015.January]

    量産用高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』による深さ400μmの高アスペクト加工

2014年

  1. [2014.October]

    多種多様な材料のプラズマダイシング ―メタル、樹脂付Siウエハーから化合物半導体まで―

  2. [2014.June]

    MEMS向け本格量産用高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』

  3. [2014.January]

    SiCパワーデバイス向けドライエッチング装置 「RIE-600iP/iPC」 プロセスデータ

2013年

  1. [2013.October]

    MEMS用途に最適なSiOC:H膜の特性

  2. [2013.June]

    低スカロップ加工と平滑化プロセス(DRIE)

  3. [2013.January]

    SiCパワーデバイス向け ICPエッチング装置 RIE-600iP

2012年

  1. [2012.October]

    GaAsのプラズマダイシング及びスクライビング技術の紹介

  2. [2012.June]

    研究開発用 高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB プロセスデータ

  3. [2012.April]

    低地球温暖化係数ガスによるSiO2、SiNのエッチング

  4. [2012.January]

    次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

2011年

  1. [2011.October]

    SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ

  2. [2011.June]

    TSV絶縁膜形成用 プラズマCVD装置 PD-330STC

  3. [2011.April]

    SiCパワーデバイスへの取り組み

  4. [2011.January]

    照明用LEDパッケージ(実装基板)のプラズマ洗浄

2010年

  1. [2010.October]

    化合物半導体のディープエッチング

  2. [2010.July]

    TSV向け低温形成絶縁膜技術

  3. [2010.April]

    化合物半導体プロセス用多数枚処理専用エッチング装置 RIE-330iP/iPCプロセスデータ

  4. [2010.January]

    研究開発用 高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB

2009年

  1. [2009.October]

    SAMCO One Stop Solutionの紹介

  2. [2009.July]

    高速Boschプロセス専用ICPエッチング装置 RIE-800iPBプロセスデータ

  3. [2009.January]

    化合物半導体プロセス用多数枚処理専用ICPエッチング装置 RIE-330iP/iPC

2008年

  1. [2008.January]

    化合物半導体プロセス専用ICPエッチング装置 RIE-140iP/iPC

2007年

  1. [2007.October]

    Properties of SiCN films prepared by Cathode Coupled PE-CVD Using Liquid Source Material

  2. [2007.June]

    トルネードICPエッチング装置によるGaNの高精度加工

2005年

  1. [2005.October]

    Boschプロセス用ICPエッチング装置と絶縁膜形成用CVD装置の3次元実装への応用

2003年

  1. [2003.October]

    強誘電体ナノチューブ

2002年

  1. [2002.April]

    液化有機ケイ素化合物を用いたプラズマCVDによるSiN成膜技術

  2. [2002.February]

    ワイヤーボンディング前の新プラズマ表面洗浄技術

2001年

  1. [2001.October]

    SiO2厚膜形成用プラズマCVDの光応用

2000年

  1. [2000.October]

    トルネードICP®におけるエッチング均一性の改善