高速シリコンディープエッチング装置 RIE-800BCT

高速シリコンディープエッチング装置 RIE-800BCT
2カセットを標準装備

概要

本装置は放電方式に誘導結合プラズマ（ICP: Inductively Coupled Plasma）を採用した高速シリコンディープエッチング装置です。ボッシュプロセスに対応し、MEMSやTSVに求められる高速かつ高アスペクト比のシリコンエッチングが可能です。非ボッシュプロセスにも対応しており、ご要望に応じた柔軟な側壁形状制御が可能です。大気搬送部には、カセットを2台搭載可能であり、高精度アライナーと組み合わせることで、ウエハのオリフラやノッチの自動位置合わせに対応しています。さらに、エッジプロテクションリングの自動装着にもオプションで対応しており、安定した量産プロセスを可能とします。