ICPエッチング装置 RIE-230iPC

概要

RIE-230iPCは、納入実績の豊富なICPエッチング装置『RIE-200iP』での経験をもとに開発した量産対応のトレイカセット式装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。 また、ø230mmトレイにより、化合物半導体の多数枚同時処理が可能です。

特長

トルネード型コイル電極の採用

安定した高密度プラズマを効率よく発生させることができ、高い選択比と高精度で均一性の良いエッチングが可能です。

真空カセット室搭載

ウエハカセット、トレイカセットともに対応することができます。

温度制御

ESCとHeによるステージの冷却および反応室内側壁の温度制御により、安定した条件でのエッチングが可能です。

応用例

・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工

・強誘電体や電極材料など難エッチング材料の加工

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