RIE-400iPB
Si深掘り&SiO₂高速加工装置
概要
RIE-400iPBは、誘導結合プラズマ（ICP）方式を採用した研究開発向け高速シリコンディープエッチング（DRIE）装置です。ボッシュプロセスによる高アスペクト比エッチングに加え、非ボッシュプロセスにも対応し、ご要望に応じた柔軟な側壁形状制御を可能にします。最大ø4インチウエハ対応の枚葉処理方式とロードロック構造により、安定した再現性を確保。MEMS、マイクロ流路、光学部品など、幅広い研究分野において高精度な加工を実現します。さらに、ICPソースの交換によりSiO₂の高速加工が可能です。
特長
- ボッシュプロセス専用ICPコイルによりRFパワーを効率よく印加
- 30以上の高アスペクト比加工
- ガスの高速切り替えによる低スカロップ加工
- 非ボッシュプロセスによりスカロップフリー加工
- 側壁形状を制御した順テーパー加工
- 豊富なプロセスライブラリ
- ICPソースの交換によるSiO₂の高速加工（オプション）
応用例
-
MEMSデバイス加工（加速度・ジャイロ・圧力センサ、アクチュエータ等）
-
TSV／3D実装向けシリコン深掘り加工
-
マイクロ流路・μTASなどの微細流体デバイス作製
-
石英ガラス（SiO₂）の微細加工（光学部品・流路基板等）
-
光学・フォトニクスおよび各種マイクロ構造の研究開発用途
オプション
- SiO₂用ICPユニット
プロセスデータ
論文
- Intrinsic Stress Control of Sol-Gel Derived PZT Films for Buckled Diaphragm Structures of Highly Sensitive Ultrasonic Microsensors
- Sensitivity of Piezoelectric Ultrasonic Microsensors with Sol-Gel Derived PZT Films Prepared through Various Pyrolysis Temperatures
- Low driving voltage Mach-Zehnder interference modulator constructed from an electro-optic polymer on ultra-thin silicon with a broadband operation
- Plate-slot polymer waveguide modulator on silicon-on-insulator
- Numerical and Experimental Analyses of Three-Dimensional Unsteady Flow around a Micro-Pillar Subjected to Rotational Vibration
関連ページ
当製品以外の高速シリコンディープエッチング装置はこちらからご覧いただけます。
