Si深掘り装置 RIE-400iPB
研究開発用シリコン深掘り装置

概要

RIE-400iPBは、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用したMEMS、電子部品用途のボッシュプロセスに対応した高速シリコン深掘り装置です。本装置は、実績のあるRIE-800iPBを研究開発用に改造しました。ロバートボッシュ社(独)が有するシリコン深掘りに関する特許(ボッシュプロセス)をライセンス導入しており、MEMSやTSVに求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した装置です。

特長

高速シリコン深掘りが可能
ボッシュプロセスに対応するため独自のプラズマ発生源と反応器構造を有し、高速にシリコンの深掘りが可能です。

速度を維持かつスカロップを低減
ガスの高速切替を行うことにより、エッチングレートを維持したままスカロップの低減が可能です。

SiO₂のエッチングが可能
専用のICPコイルに交換することで、SiO₂の加工が可能です。

応用例

・MEMS(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど)の製作

・μTASなどの医療機器の加工

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