高速シリコンディープエッチング装置 RIE-400iPB
Si深掘り&SiO₂高速加工装置
概要
本装置は放電方式に誘導結合プラズマ（ICP: Inductively Coupled Plasma）を採用した高速シリコンディープエッチング装置です。ボッシュプロセスに対応し、MEMSやTSVに求められる高速かつ高アスペクト比のシリコンエッチングが可能です。非ボッシュプロセスにも対応しており、ご要望に応じた柔軟な側壁形状制御が可能です。最大ø4インチウエハに対応した枚葉処理方式とロードロック構造により、安定した再現性を確保します。MEMS、マイクロ流路、光学部品など、幅広い研究分野において高精度な加工に対応します。さらに、ICPソースの交換によりSiO₂の高速加工も可能です。
特長
- ボッシュプロセス専用ICPコイルによりRFパワーを効率よく印加
- 30以上の高アスペクト比加工
- ガスの高速切り替えによる低スカロップ加工
- 非ボッシュプロセスによりスカロップフリー加工
- 側壁形状を制御した順テーパー加工
- 豊富なプロセスライブラリ
- ICPソースの交換によるSiO₂の高速加工（オプション）
応用例
-
MEMSデバイス加工（加速度・ジャイロ・圧力センサ、アクチュエータ等）
-
TSV／3D実装向けシリコン深掘り加工
-
マイクロ流路・μTASなどの微細流体デバイス作製
-
石英ガラス（SiO₂）の微細加工（光学部品・流路基板等）
-
光学・フォトニクスおよび各種マイクロ構造の研究開発用途
オプション
- SiO₂用ICPユニット
プロセスデータ
論文
- Intrinsic Stress Control of Sol-Gel Derived PZT Films for Buckled Diaphragm Structures of Highly Sensitive Ultrasonic Microsensors
- Sensitivity of Piezoelectric Ultrasonic Microsensors with Sol-Gel Derived PZT Films Prepared through Various Pyrolysis Temperatures
- Low driving voltage Mach-Zehnder interference modulator constructed from an electro-optic polymer on ultra-thin silicon with a broadband operation
- Plate-slot polymer waveguide modulator on silicon-on-insulator
- Numerical and Experimental Analyses of Three-Dimensional Unsteady Flow around a Micro-Pillar Subjected to Rotational Vibration
関連ページ
当製品以外の高速シリコンディープエッチング装置はこちらからご覧いただけます。
