製品情報ICPエッチング装置 RIE-400iPC

放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）を採用した高密度プラズマエッチング装置です。本装置は、真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置です。Φ4インチなどの小径ウエハ専用装置になり、省スペースに設置することが可能です。

新型ICPソース「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」

高RFパワー（2 kW以上）を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現します。

大流量排気システム

反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。

エンドポイントモニタ対応

干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能です。

メンテナンスしやすい設計

TMP（ターボ分子ポンプ）や高周波電源をユニット化し交換を容易にしています。

・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工

・SiC、SiO₂の高速加工

・強誘電体（PZT、BST、SBT、BT）や電極材料（Pt、Au、Ru、Al）など難エッチング材料のエッチング