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Al₂O₃を100nm成膜したサンプルの耐圧測定を実施したところ、成膜温度350℃で絶縁破壊強度7.5MV/cmと良好な値が得られました。成膜温度を下げると膜中の不純物が増えるために耐圧は減少しますが、200℃でも6MV/cm以上の耐圧が得られています。
■用途：電子デバイスのゲート酸化膜
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AL-1
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