製品情報ALD装置 AL-1

AL-1は、反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜することで、高い膜厚制御性と良好な段差被覆性を実現しています。膜厚は原子層オーダーで制御できます。また、高アスペクト比のホール内壁へカバレッジ性良く、均一な膜厚で成膜できます。有機金属原料にTMAを、反応剤にH₂Oを使用したアルミナ（AlOx）膜では、成膜温度350℃で7.5MV/cm と高い絶縁破壊強度が得られており、次世代パワーデバイスのゲート高耐圧膜として応用できます。ø4 inchウエハ × 3枚を同時に成膜できます。

良好な成膜効率
数十msecオーダーのパルス供給することで原料のロスを減らし、成膜効率を向上しています。

温度ムラを抑えたクリーンな真空
反応室内壁に密着するインナーウォールヒーターが反応室内の温度ムラを抑え、クリーンな真空が得られます。

ピンホールのない成膜
複数の原料ガスが反応室内で混合しないよう工夫しているため、パーティクルの発生を防ぎ、ピンホールのない膜が成膜できます。

・次世代パワーデバイスのゲート酸化膜、パッシベーション膜

・MEMS等の3次元構造体への均一な成膜

・レーザー共振器端面への成膜

・カーボンナノチューブの保護膜