TSV(Through-Silicon Via)の製造工程、および各工程で使用するサムコの装置をご紹介します。

CMPによるSiの研磨

(Chemical Mechanical Polishing)

フォトリソグラフィー

貫通孔の形成

ボッシュプロセスによりSiをエッチングし貫通孔を形成

シリコン深掘り装置

側壁への絶縁膜形成

貫通孔の側壁にTEOS-SiO2絶縁膜を形成

液体ソースCVD®装置

下部電極露出

電極上のTEOS-SiO2を選択的に除去

RIE装置

バリア層の形成

TiNバリア層によりCuの拡散を防止

メッキによる
Cuプラグの形成

CMP

RIEによるCuプラグ出し

RIE装置

SiO2膜の形成

液体ソースCVD®装置

フォトリソグラフィー

SiO2膜のエッチング

RIE装置

サムコ製装置における
TSVの作製事例

埋め込み特性

SIPスパッタによるシードCu膜厚:310nmの導入とめっき条件の最適化により低温プラズマCVD膜を1.36μm形成後でも高アスベクト比ビア(~7)への銅の完全充填が可能 。

提供
大阪府立大学 近藤和夫教授

Via-First評価用TEG

Si貫通配線を作成後、表面にデバイスを作成

提供
株式会社ウォルツ三次元半導体研究センター

Via-Last TEG

表面にデバイスを作成後、Si貫通配線を作成

提供
株式会社ウォルツ三次元半導体研究センター