Φ6インチウエハのトレンチ加工

ICPエッチング装置によるSiC MOSFETのトレンチゲート加工。
側面が平滑で、サブトレンチレスのラウンド形状を実現した。
・深さ:2 μm
・レート:450 nm/min以上
・SiC/SiO₂選択比:5以上
・Φ6インチ面内均一性:±3%以下

使用している製品

RIE-800iP

RIE-800iPC