企業情報広報誌サムコナウ

[ 2025.October ]

原子層レベルのエッチング制御、Atomic Layer Etching装置の紹介

[ 2025.July ]

PEALD法によるウエハ両面同時成膜

[ 2025.April ]

枚葉式Aqua Plasma®装置の紹介

[ 2025.January ]

700℃の高温プラズマCVD装置「PD-101TC」の紹介

[ 2024.October ]

トレンチ型SiC MOSFETの実現に向けたICPエッチング技術

[ 2024.July ]

Aqua Plasma® による金の表面処理

[ 2024.April ]

プラズマCVD装置「PD-220シリーズ」の長期プロセス安定性の紹介

[ 2024.January ]

革新生む新プラズマ源「HSTC-M™」搭載、SiC/GaNパワーデバイス向け最大8インチ用ICPエッチング機構の紹介

[ 2023.October ]

3室CVD装置「PD-2203LC」の紹介

[ 2023.July ]

GaN系パワーデバイスの素子分離加工

[ 2023.April ]

還元性能をさらに向上、Aqua Plasma Boost® AQ-2000BTの紹介

[ 2023.January ]

マイナス150℃を実現、クライオICPエッチング装置「RIE-800iPLN」の紹介

[ 2022.October ]

ボッシュプロセスによるシリコンの深掘り技術

[ 2022.July ]

新型ALD装置「AD-800LP」の紹介

[ 2022.April ]

GaN系デバイス向けダイヤモンド基板の加工

[ 2022.January ]

電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターH™」の販売を開始

[ 2021.October ]

ALD（Atomic Layer Deposition）装置によるHfO2、ZrO2の成膜

[ 2021.July ]

VHF帯（60MHz）を使用したSN-2-SiNx及びSi膜の成膜

[ 2021.April ]

次世代HCG-VCSELの加工技術

[ 2021.January ]

2周波CVD装置によるTEOS-SiO2成膜プロセスの安定性について

[ 2020.October ]

マイクロバンプへのAqua Plasmaの応用

[ 2020.July ]

GaNのトレンチ加工　角度制御

[ 2020.April ]

2周波CVD装置によるTEOS-SiO2膜の低温成膜

[ 2020.January ]

マイクロLED向けICPエッチングの加工例

[ 2019.October ]

接着剤や加熱を用いないCOP製マイクロ流体チップの実現

[ 2019.July ]

トレンチMOSFETのゲート形成に必要な成膜技術の紹介

[ 2019.April ]

パワーデバイス用GaNのトレンチ加工

[ 2019.January ]

トレンチ型SiC MOSFETの実現に向けた取り組み

[ 2018.October ]

Aqua Plasmaによる酸化銅の還元

[ 2018.July ]

液体原料を用いたタングステンのホール内埋め込み成膜

[ 2018.April ]

2周波を使用したSiNx、SiO2の成膜における応力制御性の向上

[ 2018.January ]

Aqua Plasmaによるマイクロ流体チップの常温接合

[ 2017.October ]

GaNエピタキシャル膜とALD薄膜の界面準位密度

[ 2017.July ]

逆テーパ加工基板を用いたGaN選択成長技術の紹介

[ 2017.April ]

ノンボッシュプロセスを用いたシリコン加工データ

[ 2017.January ]

Aqua Plasma　～画期的な銀電極、銅電極の表面処理技術～

[ 2016.October ]

窒化物のバルク基板への取り組み

[ 2016.July ]

Aqua PlasmaによるLEDパッケージの洗浄技術

[ 2016.April ]

原子層堆積（ALD）装置の開発　～パワーデバイスアプリケーション～

[ 2016.January ]

ICPエッチング装置を用いたGaAsウェハのプラズマスクライビング技術紹介

[ 2015.October ]

PD-270STLCを用いた電子部品向けTEOS-SiO2成膜

[ 2015.July ]

TTIP(Titanium tetraisopropoxide)とTEOSを用いる広範囲な屈折率制御

[ 2015.April ]

LS-CVD技術を用いたSN-2/SiNxの成膜

[ 2015.January ]

量産用高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』による深さ400μmの高アスペクト加工

[ 2014.October ]

多種多様な材料のプラズマダイシング ―メタル、樹脂付Siウエハーから化合物半導体まで―

[ 2014.June ]

MEMS向け本格量産用高速シリコンディープエッチング装置『RIE-800iPBC』

[ 2014.January ]

SiCパワーデバイス向けドライエッチング装置 「RIE-600iP/iPC」 プロセスデータ

[ 2013.October ]

MEMS用途に最適なSiOC:H膜の特性

[ 2013.June ]

低スカロップ加工と平滑化プロセス（DRIE）

[ 2013.January ]

SiCパワーデバイス向け ＩＣＰエッチング装置 RIE-600iP

[ 2012.October ]

GaAsのプラズマダイシング及びスクライビング技術の紹介

[ 2012.June ]

研究開発用　高速シリコンディープエッチング装置　RIE-400iPB プロセスデータ

[ 2012.April ]

低地球温暖化係数ガスによるSiO2、SiNのエッチング

[ 2012.January ]

次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

[ 2011.October ]

SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ

[ 2011.June ]

TSV絶縁膜形成用 プラズマCVD装置 PD-330STC

[ 2011.April ]

SiCパワーデバイスへの取り組み

[ 2011.January ]

照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄

[ 2010.October ]

化合物半導体のディープエッチング

[ 2010.July ]

TSV向け低温形成絶縁膜技術

[ 2010.April ]

化合物半導体プロセス用多数枚処理専用エッチング装置　RIE-330iP/iPCプロセスデータ

[ 2010.January ]

研究開発用　高速シリコンディープエッチング装置　RIE-400iPB

[ 2009.October ]

SAMCO One Stop Solutionの紹介

[ 2009.July ]

高速Boschプロセス専用ICPエッチング装置 RIE-800iPBプロセスデータ

[ 2009.January ]

化合物半導体プロセス用多数枚処理専用ICPエッチング装置 RIE-330iP/iPC

[ 2008.January ]

化合物半導体プロセス専用ICPエッチング装置 RIE-140iP/iPC

[ 2007.October ]

Properties of SiCN films prepared by Cathode Coupled PE-CVD Using Liquid Source Material

[ 2007.June ]

トルネードICPエッチング装置によるGaNの高精度加工

[ 2005.October ]

Boschプロセス用ICPエッチング装置と絶縁膜形成用CVD装置の3次元実装への応用

[ 2003.October ]

強誘電体ナノチューブ

[ 2002.April ]

液化有機ケイ素化合物を用いたプラズマCVDによるSiN成膜技術

[ 2002.February ]

ワイヤーボンディング前の新プラズマ表面洗浄技術

[ 2001.October ]

SiO2厚膜形成用プラズマCVDの光応用

[ 2000.October ]

トルネードICP®におけるエッチング均一性の改善