深さ500 μmの貫通加工｜サムコ株式会社

ボッシュプロセスによるSiの深掘り

研究開発用シリコン深掘り装置RIE-400iPBにより、幅100 μm、深さ500 μmの貫通構造を形成しています。マスクである熱酸化膜に対するシリコンの選択比は1000：1程度。

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