アスペクト比23のSi深掘り｜サムコ株式会社

ボッシュプロセスによるSiの深掘り

研究開発用シリコン深掘り装置RIE-400iPBにより、幅3 μm、深さ70 μmの高アスペクト比構造を形成しています。レジストに対するシリコンの選択比は100：1程度。

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