ボッシュプロセスによるSiの深掘り

研究開発用シリコン深掘り装置RIE-400iPBにより、□1 μm、高さ5 μmの熱インプリント用のSi製の型を作製しています。


《ご提供》

山形県工業技術センター様

プラスチックス 2018年12月号より引用

使用している製品

RIE-800iPB

RIE-800BCT

RIE-400iPB

技術資料