製品情報ALD装置 AD-10P

本装置は、原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）法による薄膜形成が可能なオープンロード式ALD装置です。成膜には下部ステージの加熱を利用したサーマルALD法と独自のプラズマソースを用いたリモートプラズマALD法を採用しており、酸化膜や窒化膜、導電性膜など多様な膜種が成膜可能です。有機金属原料と酸化剤などを交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜することで、優れた膜厚制御性、面内均一性、ステップカバレージを実現します。原料を数百msec以下のパルス供給をすることで原料のロスを減らし、成膜効率を向上させています。

• 数十msecオーダーのパルス供給することで原料のロスを減らし、成膜効率を向上しています。
• 反応室内壁に密着するインナーウォールヒーターが反応室内の温度ムラを抑えます。
• 複数の原料ガスが混合しないよう内部構造を工夫しているため、パーティクルの発生を防ぎ、ピンホールのない膜が成膜できます。

• 次世代パワーデバイスのゲート酸化膜、パッシベーション膜
• MEMS等の3次元構造体への均一な成膜
• レーザー共振器端面への成膜
• カーボンナノチューブの保護膜