製品情報ALD装置 AD-800LP

本装置は、原子層堆積（ALD: Atomic Layer Deposition）法による薄膜形成が可能なロードロック式プラズマALD装置です。成膜には下部ステージの加熱を利用したサーマルALD法と独自のプラズマソースを用いたプラズマALD法を採用しており、酸化膜や窒化膜、導電性膜など多様な膜種が成膜可能です。有機金属原料と酸化剤などを交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜することで、優れた膜厚制御性、面内均一性、ステップカバレージを実現します。原料を数百msec以下のパルス供給をすることで原料のロスを減らし、成膜効率を向上させています。トレイ搬送により、ø8インチウエハへの成膜やø4インチウエハ3枚の同時成膜が可能です。

• 原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能
• 高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能
• 面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現
• 原料のガスライン、ガスフローを最適化した独自の反応室構造により、パーティクルを抑制
• コンパクトな反応室により、ガスのパージ時間を短くし、プロセス時間を短縮

• 電子デバイスのゲート絶縁膜
• 半導体・有機EL等のパッシベーション膜
• 半導体レーザーの反射面
• MEMSなど3次元構造への成膜
• グラフェンへの成膜
• カーボンナノチューブの保護膜

• リモートプラズマユニット
• オゾナイザー