プラズマCVD装置 PD-220NL
研究開発用プラズマCVD装置
概要
本装置はSiO2やSiNxなどのシリコン系薄膜を成膜するプラズマCVD装置です。ロードロック室を備え反応室を大気開放しないため、プロセス再現性や安定性に優れています。従来の13.56 MHzのプロセスに加え、400 kHzを重畳した2周波プロセスに対応しており、膜応力を効果的に制御できます。SiH4系だけでなく、TEOSやSN-2などの液体原料を用いた成膜も可能です。トレイ搬送による小径ウエハの多数枚処理が可能で、トレイの座繰り形状を変えることで様々なサイズに対応でき汎用性に優れています。
特長
- シンプルな反応室構造により信頼性が高くメンテナンスが容易
- 反応室内部構造の工夫により安定したプラズマを生成
- 対称なガスフローによる良好な均一性を実現する四方向排気システム
- ø230 mmトレイ（有効径220 mm）による小径ウエハの多数枚同時処理（ø2” x 9枚、ø3” x 5枚、ø4” x 3枚）
応用例
- SiH4-SiO2
- SiH4-SiN
- TEOS-SiO2
- 液体原料SN-2-SiN
オプション
- 2周波 (13.56 MHz + 400 kHz) による応力制御が可能
- VHF帯 (27, 40, 60 MHz)を用いた成膜が可能
- 液体原料TEOSによるSiO2成膜
- 液体原料SN-2によるSiNx成膜
プロセスデータ
論文
- Low driving voltage Mach-Zehnder interference modulator constructed from an electro-optic polymer on ultra-thin silicon with a broadband operation
- Dispersion optimization of silicon nitride waveguides for efficient four-wave mixing
- High-temperature-resistant silicon-polymer hybrid modulator operating at up to 200 Gbit s−1 for energy-efficient datacentres and harsh-environment applications
- Realizing nearly-zero dark current and ultrahigh signal-to-noise ratio perovskite X-ray detector and image array by darkcurrent-shunting strategy
関連ページ
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