サムコで取り扱っている
液体ソースCVD®装置

TEOS-SiO2(シリコン酸化膜)やLiquid Source SiN(シリコン窒化膜)形成用の装置です。

液体ソースCVD®装置の特徴

TEOS-SiO2、Liquid Source SiNや高誘電率薄膜形成用の装置です。

  • MERIT 1低温(80℃~)

    80~400℃ 程度の低温で成膜できます。そのため、樹脂基板などへの成膜が可能です。

  • MERIT 2高速(100nm/min以上)

    独自のセルフバイアス法の採用により、100nm/min以上の高速かつ低ストレスの成膜が可能です。

液体ソースCVD®法

サムコは、取り扱いの容易な液体原料TEOSを用いたSiO2膜の形成について研究してまいりました。液体ソースCVD®装置は、液体原料(Liquid Source)を使用し薄膜を形成するプラズマCVD装置です。もちろん、TEOS以外の液体原料も使用可能で、例えば炭化水素系液体モノマーを使って、DLC薄膜の形成もできます。

サムコでは、一般的なアノードカップリング方式に加え、世界で唯一カソードカップリング方式のLSCVD®(下記の2つ目の図)をラインアップしています。

  • アノードカップリングCVD
  • カソードカップリングCVD

カソードカップリングCVDのメリット

  • プラズマ中のイオンを積極的に利用できる
  • イオンエネルギーの制御により、良好なカバレージ性を実現
  • 自己バイアスによるイオンアシストで成膜するため、アノード方式よりも低温での成膜が可能
TSVの側壁絶縁膜形成

TEOSとカソード方式の相乗効果により、TSV(Si貫通ビア)の側壁絶縁膜形成において、高アスペクト比のビアホール側壁にもカバレージ性に優れた高品質なTEOS-SiO2膜を低温で形成することが可能となっています。

液体ソースCVD®装置は、TSVの側壁絶縁膜形成から、MEMSのマスクおよび酸化膜犠牲層形成、光導波路などの光学部品の製造まで幅広い分野で多数のお客様にご使用いただいております。

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