サムコで取り扱っている
ALD装置

ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜する装置です。

  • AL-1

    ナノレベルの膜厚制御が可能

ALD装置の特徴

ALDは基板上に原料の供給と余剰原料のパージを繰り返すことで原子層1層ずつを成膜する手法です。例えば酸化膜や窒化膜の成膜において、原料ガスが表面反応により1層形成され成長が止まる自己停止機能により、1層ごとの膜形成を繰り返すLayer by layerの成膜が可能です。

  • MERITナノレベルの膜厚制御性と
    良好な段差被覆性

    CVD、スパッタおよびその他の成膜技術と比較して、「原子層オーダーの膜厚制御性」と「段差被覆性」などに優位性があります。

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