プラズマCVD装置 PD-2201LC
量産用プラズマCVD装置

概要

PD-2201LCは、各種シリコン系薄膜(SiO₂、SiN等)を形成するための大気カセット式量産用プラズマCVD装置です。トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く対応できます。また、ウエハ枚葉処理では真空カセット室に変更可能で、カセット室を大気開放することなく連続で処理できます。

特長

広範な膜質制御
SiN成膜において、引張800MPa~圧縮200MPaの応力制御が可能です。また、ガス流量比を変えることで屈折率の制御も可能。

コンパクトな省スペース装置
電装系を装置とは別のボックスにまとめ、装置本体をスリム化しました。(設置面積:590mm(W) × 2170mm(D))

そのため、スペースに合わせて柔軟に設置できます。


トレイによるウエハ搬送
小径ウエハの多数枚同時成膜が可能です。(ø2”×9枚、ø3”×5枚、ø4”×3枚)

また、トレイを変更することで、ウエハサイズの変更も容易に行えます。

応用例

各種シリコン系薄膜の形成
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜の形成が可能です。

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