製品情報プラズマCVD装置 PD-2201LC

PD-2201LCは、各種シリコン系薄膜（SiO₂、SiN等）を形成するための大気カセット式生産用プラズマCVD装置です。トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く対応できます。また、ウエハ枚葉処理では真空カセット室に変更可能で、カセット室を大気開放することなく連続で処理できます。

広範な膜質制御
SiN成膜において、引張800MPa~圧縮200MPaの応力制御が可能です。また、ガス流量比を変えることで屈折率の制御も可能。

コンパクトな省スペース装置
電装系を装置とは別のボックスにまとめ、装置本体をスリム化しました。（設置面積：590mm(W) × 2170mm(D)）

そのため、スペースに合わせて柔軟に設置できます。

トレイによるウエハ搬送
小径ウエハの多数枚同時成膜が可能です。（ø2”×9枚、ø3”×5枚、ø4”×3枚）

また、トレイを変更することで、ウエハサイズの変更も容易に行えます。

各種シリコン系薄膜の形成
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜の形成が可能です。