LSCVD®装置 PD-100ST
研究開発用液体ソースCVD®装置

概要

PD-100STは、液体原料のTEOSによるシリコン酸化膜(SiO₂)形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。独自のセルフバイアス法により高品質のシリコン酸化膜を薄膜から厚膜まで低ストレスで成膜できます。ø4 inch に対応した研究開発用装置です。

特長

良好な膜厚均一性と安定性

ø4 inch×3枚の同時成膜において膜厚均一性±1.5%以下が可能で、10バッチ連続成膜でも安定した結果が得られます。

高速成膜とストレス制御

独自のセルフバイアス法の採用により、100nm/min以上の高速かつ低ストレスでの成膜が可能です。

低温成膜

80℃~の低温成膜が可能です。

ステップカバレージに優れた成膜

液体ソースのTEOSを用いるLSCVD®法によりステップカバレージと埋め込み特性に優れた成膜が可能です。

屈折率の制御

Ge、P、Bの液体ソースを添加することで屈折率の制御が可能です。

応用例

・SAWデバイスの温度補償膜、パッシベーション膜

・MEMSのマスクおよび酸化膜犠牲層

・3次元パッケージにおけるTSV(Si貫通ビア)側壁の絶縁膜

・光導波路のコア層、クラッド層形成

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