LSCVD®装置 PD-200STL

概要

PD-200STL は、液体ソースによるシリコン酸化 (SiO2) 膜、シリコン窒化 (SiN) 膜形成用の高速プラズマCVD装置です。カソード側のシース電界で得られるイオンエネルギーにより、低温下で低ストレスの厚膜を形成することが可能です。本装置は、ロードロック室を有し、再現性に優れた成膜が可能です。

特長

  • 良好な膜厚均一性と安定性
  • 高速成膜とストレス制御
  • 低温成膜（80℃～）
  • ステップカバレージに優れた成膜
  • 屈折率の制御（Ge、P、Bを使用）

応用例


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