製品情報アスペクト比23のSi深掘り

研究開発用シリコン深掘り装置RIE-400iPBにより、幅3 μm、深さ70 μmの高アスペクト比構造を形成しています。レジストに対するシリコンの選択比は100：1程度。

《ご提供》

山形県工業技術センター様

プラスチックス 2018年12月号より引用