製品情報ø70 nmのナノホール加工

ボッシュプロセスによる極微細なSiの深掘り加工例。ø70 nmのホールパターンにおいて、レジストマスクとの選択比を十分に取り、形状を制御しつつ、深さ552 nm、アスペクト比7.9の深掘りを実現しています。70 nm前後のパターンであれば、マスクを厚くしたり、SiO2マスクを用いることで、アスペクト比15以上の加工が可能です。エッチングレートは460 nm/min。本加工は位相変調機能を有する空間光制御デバイスに応用できます。