製品情報ø30 nmのナノピラー形成

ボッシュプロセスによる極微細なSiの深掘り。ø30 nmのピラーパターンにおいて、レジストマスクとの選択比を十分に取り、形状を制御しつつ、深さ444 nmの深掘りを実現しています。Siの深掘り加工で問題となるスカロップは、8.6 nm以下に抑制しています。エッチングレートは370 nm/min。本加工は位相変調機能を有する空間光制御デバイスに応用できます。