製品情報シリコンナノデバイスの微細ボッシュ加工

非ボッシュプロセスによるライン&スペース = 150/50 nmのシリコンのナノレベル加工。微細なパターンにおいてアスペクト比5:1 の深掘りを達成しています。ボッシュプロセスでのSi深掘りでは原理上、側壁のスカロップの発生が問題となることがありますが、非ボッシュプロセスでは側壁のスカロップは発生しません。