非ボッシュプロセスによるスカロップレス加工

非ボッシュプロセスによるライン&スペース = 150/50 nmのシリコンのナノレベル加工。微細なパターンにおいてアスペクト比5:1 の深掘りを達成しています。ボッシュプロセスでのSi深掘りでは原理上、側壁のスカロップの発生が問題となることがありますが、非ボッシュプロセスでは側壁のスカロップは発生しません。

使用している製品

RIE-800iPB

RIE-800BCT

　　　　　　

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