非ボッシュプロセスによる□50 μmホールパターンの深さ126 μmの高速Si深掘り加工。エッチング開口部は73°の順テーパー形状に調整し、ボーイングも起きていません。エッチングレートは、7.9 μm/minです。ボッシュプロセスでのSi深掘りでは原理上、側壁のスカロップの発生が問題となることがありますが、非ボッシュプロセスでは側壁のスカロップは発生しません。平滑な側壁を維持しながら100 μm以上の深掘りが可能な本加工は、電極形成用のTSV（Through Silicon Via: Si貫通孔）への応用に最適です。
