ボッシュプロセスによるSiの深掘り

《大阪大学　谷口研究室　ご提供》

研究開発用シリコン深掘り装置Model: RIE-400iPBにより、Siを垂直に加工し、マイクロ流路（流路幅3 μm）を作製しています。

≫Samco-Interview 大阪大学 谷口正輝先生

使用している製品

RIE-800iPB

RIE-400iPB