ø6”で良好な均一性を達成

RIE-10NRによるSiO2のトレンチ加工例。

SiO2エッチングレート :18 nm/min
選択比(SiO2 /PR) :0.83

レジスト側壁角度を維持したままSiO2のトレンチ加工を実現しています。深さは540 nm。レジストとの選択比は0.8 ~ 1.0で、マイクロトレンチの発生は抑制しています。さらに、時間管理により下地のSiをほとんどエッチングすることなく、SiO2をエッチングすることが可能です。

また、ø6"のパターンなしのSiO2膜付きSiウエハの加工で、面内均一性±1%(edge 15 mm)を実現しています。

使用している製品

RIE-10NR