RIEによるXMOS素子の超微細加工

《電子技術総合研究所　電子デバイス部　ご提供》

ロードロック式平行平板型RIE装置による、XMOS(Double-gate MOS)素子のPoly-Siゲートエッチングの結果です。

幅20～16nmマスクを用いて、Poly-Siの垂直な異方性エッチングを達成しています。

使用している製品

RIE-200NL