製品情報アスペクト比52のSi深掘り

ボッシュプロセスに対応したICPエッチング装置にて、Si深掘りした結果です。側壁はスムーズに加工できており、スカロップサイズは、100nm以下です。

加工深さはマスク厚で制限を受けていますので、マスクが厚ければさらにアスペクト比が大きい加工が可能になります。300nmのパターンで十分なマスク厚があればアスペクト比100の加工も可能です。

なお、アスペクト比を競う場合、トレンチの幅が狭いほど有利になります。