Si基板の等方性エッチング

《慶應義塾大学　田邊フォトニック構造研究室　ご提供》

フッ化キセノン(XeF₂)エッチング装置により、上部の円形のシリカ膜を残しつつ、Si基板を選択的に等方性エッチングした結果。

使用している製品

VPE-4F