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《慶應義塾大学 田邊フォトニック構造研究室 ご提供》
フッ化キセノン(XeF₂)エッチング装置により、上部の円形のシリカ膜を残しつつ、Si基板を選択的に等方性エッチングした結果。
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VPE-4F
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