Si犠牲層の等方性エッチング

《関西大学　青柳研究室　ご提供》

フッ化キセノン(XeF₂)エッチング装置により犠牲層であるアモルファスシリコンを等方的にエッチングし、基板から1μm浮かしたパリレンの可動体を製作しました。

使用している製品

VPE-4F

　　　　　　

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