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著者
プロセス
応用
  • Fabrication of a high-Q factor ring resonator using LSCVD deposited Si3N4 film

    XIAOYANG CHENG,1 JIANXUN HONG,1,2 ANDREW M. SPRING,1 AND SHIYOSHI YOKOYAMA1,3,*

    1. Department of Molecular and Material Sciences, Kyushu University
    2. School of Information Engineering, Wuhan University of Technology
    3. Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University

    Vol. 7, No. 7 | 1 Jul 2017 | OPTICAL MATERIALS EXPRESS 2182

  • Design and fabrication of high-performance diamond triple-gate field-effect transistors

    Jiangwei Liu, Hirotaka Ohsato, Xi Wang, Meiyong Liao & Yasuo Koide

    Scientific Reports 6, Article number: 34757 (2016) doi:10.1038/srep34757

  • Planar Indium Tin Oxide Heater for Improved Thermal Distribution for Metal Oxide Micromachined Gas Sensors

    M. Cihan Çakır 1,2,*, Deniz Çalışkan 1, Bayram Bütün 1 and Ekmel Özbay 1,3
    1 Nanotechnology Research Center, Bilkent University, Ankara 06800, Turkey
    2 Department of Nanotechnology and Nanomedicine, Hacettepe University, Ankara 06800, Turkey

    Sensors 2016, 16(10), 1612; doi:10.3390/s16101612

  • UV/ozone Surface Modification for Long-term Stable Hydrophilic Surface of Polymer Microfluidic Devices

    Shogo Uehara, Tsukasa Kawabe, Peter Wood and Osamu Tsuji

    MRS Advances, 1, pp 743-748. doi:10.1557/adv.2016.167.

  • A self-aligned gate GaN MOSFET using an ICP-assisted low-temperature Ohmic process

    Qingpeng Wang1,2, Ying Jiang1,2, Jiaqi Zhang1,2, Kazuya Kawaharada1, Liuan Li1, Dejun Wang2 and Jin-Ping Ao1
    1 Institute of Technology and Science, the University of Tokushima, Japan
    2 Dalian University of Technology, People’s Republic of China

    Semicond. Sci. Technol. (2015) 30 075003

  • A CMOS-Compatible Fabrication Process for Scaled Self-Aligned InGaAs MOSFETs

    Jianqiang Lin, Dimitri A. Antoniadis, and Jesús A. del Alamo

    CS MANTECH Conference, May 18th - 21st, 2015, Scottsdale, Arizona, USA pp. 239-242.

  • Optimizing the SiC Plasma Etching Process For Manufacturing Power Devices

    H. Oda, P. Wood, H. Ogiya, S. Miyoshi and O. Tsuji

    CS MANTECH Conference, May 18th - 21st, 2015, Scottsdale, Arizona, USA

  • Performance of SU-8 Membrane Suitable for Deep X-Ray Grayscale Lithography

    Harutaka Mekaru / Research Center for Ubiquitous MEMS and Micro Engineering (UMEMSME), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)

    Micromachines 2015, 6(2), 252-265; doi:10.3390/mi6020252

  • Fabrication and Characterization of a Novel Nanoscale Thermal Anemometry Probe

    Margit Vallikivi and Alexander J. Smits / Department of Mechanical and Aerospace Engineering, Princeton University, Princeton, NJ 08544 USA

    Journal of Microelectromechanical Systems (2014) 23 , 4

  • Recess Etching Process for AlGaN/GaN-HFET Devices Using In-Situ Monitoring

    T. Nishimiya, H. Ogiya, M. Hiramoto, S. Motoyama and P. Wood

    CS MANTECH Conference, May 19th – 22nd, 2014, Denver, Colorado, USA

製品情報

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    • ALD
      • アルミナの成膜(Al2O3)
    • プラズマCVD
      • 窒化膜の成膜(SiH4-SiNx)
    • 液体ソースCVD®
      • 窒化膜の成膜(SN-2-SiNx)
      • 酸化膜の成膜(TEOS-SiO₂)
    • 化合物半導体の加工
      • GaNのエッチング
      • GaAsのエッチング
      • InPのエッチング
    • シリコンの加工
      • Si深掘り(ボッシュプロセス)
      • Si深掘り(非ボッシュプロセス)
      • Si、Poly-Si、SiNのエッチング
      • SiO₂のエッチング
      • SiCのエッチング
    • 金属・誘電体の加工
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    • 有機物の加工・除去
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    • Aqua Plasma®
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