ICPエッチング装置 RIE-802iPC
反応室2室の本格生産用装置

概要

放電形式に誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用した高密度プラズマエッチング装置です。本装置は、反応室を2室備え面積生産性を向上し、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置です。

特長

新型ICPソース「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」

高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現します。

大流量排気システム

反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。

下部電極昇降機構

ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保します。

メンテナンスしやすい設計

TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し交換を容易にしています。

応用例

・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工

・SiC、SiO₂の高速加工

・強誘電体(PZT、BST、SBT、BT)や電極材料(Pt、Au、Ru、Al)など難エッチング材料のエッチング

・化合物半導体ウエハのプラズマダイシング、薄型化

オプション

難エッチング材料用特殊電極機構

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