ICPエッチング装置 RIE-100HiC

概要

放電形式に誘導結合型プラズマ(Inductively Coupled Plasma)を採用した高密度プラズマエッチング装置です。ロードロック室のない装置構成により、2カセットを搭載しながら、低コストと省スペースを実現しています。

特長

・ø4" 面内均一性:±1%以下、エッチングレート:1μm/min以上を実現

・500枚連続加工のバッチ間安定性:±0.6%

・省スペースと低コストを追及した大気搬送プラットフォーム

・真空チャック式搬送ハンドによる大気中での高速搬送

応用例

・SiO₂のコンタクトホール加工

・プラズマデスミア

・フォトレジストのアッシング

・表面改質

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