当社は、２反応室構成を採用したALD装置「AD-8002LPC」の販売を開始しました。本装置は、原子層レベルでの高精度な膜厚制御と生産性の向上を両立し、次世代半導体のプロセス開発を支援します。
■背景
近年、半導体デバイスの微細化および三次元構造化の進展に伴い、数nm以下の膜厚制御や高アスペクト比構造への均一成膜が求められています。特に、ゲート絶縁膜やバリア膜、パッシベーション膜など、界面品質や膜厚制御がデバイス特性に直結する領域では、原子層レベルで成膜を制御できるALD（Atomic Layer Deposition: 原子層堆積）技術の重要性が高まっています。
ALDは、前駆体（プリカーサー）ガスの吸着工程とパージ工程を交互に繰り返す自己律速（Self-limiting）反応を利用することで、原子層単位での膜厚制御を可能にする成膜技術です。スパッタや従来のCVDと比較して、高アスペクト比構造への優れた被覆性と高い膜厚再現性を有する点が特長です。
■製品の特長
| 1. | 原子層レベルの高精度な膜厚制御 | 前駆体ガスの自己律速反応を利用することで、従来の成膜プロセスでは難しかった原子層レベルでの膜厚制御と高い面内均一性を確保します。 |
| 2. | ２反応室構成による高い生産性と柔軟性 |
独立した２つの反応室を備えることで、材料切替や異なるプロセス条件への対応を効率化しました。研究開発用途から生産用まで、幅広いニーズに対応可能です。 |
| 3. | 実績豊富な「AD-800LP」の反応室を採用 | 国内外で豊富な導入実績を有するALD装置「AD-800LP」の反応室を採用しました。これにより、多種多様な成膜材料に対する最適なプロセス条件の構築と、高い安定性を両立しています。 |
■主な用途
- 光デバイス・フォトニクス用途の機能性薄膜形成
- GaN系パワーおよび高周波（RF）デバイス向けゲート絶縁膜・パッシベーション膜形成
- SiCパワーデバイス向け高品質絶縁膜・バリア膜形成
- MEMS（微小電気機械システム）向け機能膜形成
- ナノテクノロジー分野の研究開発用途
■今後の展望
近年半導体プロセス技術を中心に、光電融合、共パッケージ型光モジュール（CPO: Co-Packaged Optics）、チップレットアーキテクチャなど、新たな実装・集積技術への関心が高まっています。これらの分野では、異種材料界面の高品質化や三次元構造への精密成膜、さらには接合前の表面処理技術など、原子層レベルでのプロセス制御が重要となっています。
当社は、ALDによる高度な界面制御を中核に、ALEによる原子層レベルの精密加工、さらにAqua Plasma®を活用した表面活性化・接合技術を組み合わせることで、成膜・加工・接合までを包括的に支援する原子層プロセスソリューションを提供してまいります。これらの技術を通じて、先端分野の研究開発および実用化に貢献してまいります。
■製品
2反応室ALD装置「AD-8002LPC（最大径８インチ対応）」
＜お問い合わせ先＞
サムコ株式会社
広報宣伝室 土橋 篤志
075-621-7841
tsuchihashi@samco.co.jp