当社は、InP（Indium Phosphide, インジウムリン）レーザーダイオード、導波路およびフォトダイオード向けの加工・成膜装置ラインナップを拡充しました。ø3, 4, 6インチウエハ対応のICPエッチング、CCP-RIE、PECVD、ALD装置により、光通信、光電融合分野における高精度加工と成膜を実現します。
■背景
InPを用いたレーザーダイオードやフォトダイオードは、高速・大容量通信を支える基幹デバイスとして、AIサーバー用の光トランシーバ市場で需要が拡大しています。さらに近年では、光電融合の進展により、半導体と光デバイスの高密度集積が進み、より高度なプロセス精度と信頼性が求められています。
これらのデバイスでは、
- DFB/DBRグレーチング構造
- 高精度リッジ形成
- 高精度レンズ形成
- 低ダメージなパッシベーション膜形成
- 立体構造への高被覆成膜
といった加工・成膜技術が不可欠です。
研究開発から生産まで対応可能な柔軟な装置構成と、高い再現性を両立するプロセス技術へのニーズが高まっています。
■装置ラインナップ
当社は、InPレーザーダイオード加工に対応する以下の装置を展開しています。
- ICPエッチング装置: RIE-600iPNC
- CCP-RIE装置: RIE-2001LC
- PECVD装置: PD-220HLC
- ALD装置: AD-8002LPC
これらの装置はø3, 4, 6インチウエハの枚葉処理に対応しており、反応室内部部材の交換により1台で複数サイズへ柔軟に対応可能です。コンパクト設計により、省スペース環境への導入にも適しています。
■今後の展望
当社は今後も、InPデバイス向けプロセス技術の継続的な向上に取り組んでまいります。ICPエッチングおよびPECVDやALDなどの成膜プロセスの安定性を高めることで、光通信および光電融合分野における先端デバイスの製造を支援してまいります。研究開発から生産まで、信頼性の高い装置と技術サポートを提供し、長期的なパートナーとして価値提供を続けてまいります。
＜お問い合わせ先＞
サムコ株式会社
広報宣伝室 土橋 篤志
075-621-7841
tsuchihashi@samco.co.jp