液態源沉積(LSCVD)設備 PD-330STC
最大可處理ø300mm晶圓，大氣型晶圓裝卸腔體

概要

PD-330STC是量產型設備，可低溫沉積(80 ~ 400°C)並可達到高沉積速率(>300 nm/min)的電漿增強型CVD設備。莎姆克獨特的LSCVD設備採用自給偏壓沉積技術，可沉積低應力的SiO₂膜並可達到極厚的厚度(最厚可達100 µm)。PD-330STC搭載了大氣型晶圓裝卸腔體，可於實現高生產量的同時維持晶圓上優秀的均勻性。

特色

  • 最大可加工ø300 mm (12")的晶圓
  • 自我偏壓的陰極耦合技術可實現高沉積速率 (>300 nm/min) 及低應力的薄膜
  • 透過低溫沉積可在塑料表面上沉積薄膜
  • 高深寬比結構也可達到優秀的階梯覆蓋性
  • 利用液態鍺(Ge)、磷(P)、硼(B)前驅物(Liquid precursor)來控制反射率
  • 優秀的均勻性及製程重複性

應用

  • 塑料表面上保護膜的沉積
  • 3D LSI導孔(Via)側壁上絕緣膜的沉積
  • 光波導的光纖核心 (Core)、外殼(cladding)的加工
  • 微機電系統(MEMS)製造中需要的罩幕層的加工
  • 高深寬比結構(如：MEMS元件)的覆蓋
  • SAW元件的溫度補償膜及鈍化膜的沉積

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