電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)

電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)是利用反應氣體轉爲電漿狀態時,所產生的活性基及離子的在基板上的化學反應形成薄膜的技術. 使用在化合物半導體及砂半導體製程上的氮化矽的保護膜(SiN) 及界層絕緣的氧化矽膜(SiO₂)的沉積.

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