液態源沉積(LS-CVD)系統PD-200STL
ø200 mm (8") Loadlock

概要

PD-200STL是R&D專用的低溫(80 ~ 400°C), 高沉積速率(>300 nm/min)電漿增強型CVD系統. Samco獨特的LS-CVD設備採用自給偏壓沉積技術及TEOS液態源. 可沉積薄到非常厚(高達100 µm)的低引力SiO₂膜.D-200STL的平順及小體積可有效利用無塵室空間. 反應器利用Loadlock與外圍環境隔離, 提高製程的再現性.

特色

  • 最大達ø200 mm (8")的加工
  • 陰極耦合的自給偏壓技術, 實現低引力膜的高速率沉積.
  • 利用低溫沉積, 可在塑材表面上成膜.
  • 極佳的高深寬比階梯覆蓋能力.
  • 利用鍺(Ge), 磷(P), 硼(B)元素的liquid precursor來控制反射率.
  • D-200STL的平順及小體積不占用無塵室空間

應用

  • 沉積塑材表面保護膜
  • 沉積3D LSI的Via側壁絕緣膜
  • 加工光波導的光纖芯 (Core)、光纖包層(cladding)
  • 加工微機電用薄膜
  • 高深寬比(如:MEMS元件)的覆蓋膜
  • SAW元件的溫度補償膜及保護膜