原子層沉積(ALD)
原子層沉積(ALD)是一個可以在電子原件(功率器件&射頻原件)沉積無針孔及均匀的絕緣膜的薄膜成膜技術. ALD提供卓越的高對比溝槽及導通孔結構上的覆蓋性. 膜厚可控制至angstrom等級，並可藉由連續, 自我侷限反應調整膜結構. Samco提供高彈性的蓋板上掀式熱沉積ALD系統AL-1及真空預載(loadlock)型電漿輔助ALD系統AD-230LP.
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電漿輔助沉積(ALD)設備 AD-230LP
適合沉積電子元件用的絕緣膜和鈍化膜
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原子層熱沉積(Thermal ALD)設備 AL-1
原子級控制薄膜厚度
特色
- 自我侷限地逐層沉積
- 高對比結構上的極佳覆蓋性
- 無針孔及無灰塵
- 應用性廣的前驅物質及製程
ALD製程圖示
- 利用TMA (trimethylaluminum) 及H2O / O2電漿沉積AIOx膜.
- 重複A~D的循環.
- 在step B清腔後只留下單一原子層(自我侷限性).
