集積回路とは、ダイオード、トランジスタ、抵抗、コンデンサなどの単機能（ディスクリート）半導体を集めて1つのチップに載せたデバイスです。現在生産されているICの多くがシリコンを材料としています。ICの集積度を高め、1つのチップに1000個以上の単機能半導体を搭載したものを大規模集積回路(LSI: Large Scale Integration)と言います。半導体の高集積化が進み、1つのチップに1000万個以上の単機能半導体を作ることが可能になっています。

　LSIは、シリコン基板の表面に微細なパターンを形成することで、多数の単機能半導体を作ります。その加工寸法を小さくすることを「微細化」と言います。現在、最先端のLSIの加工線幅が十数nmとなり、微細化の限界に近付きつつあります。そこで注目されているのが、ICチップ同士を立体的に接続する3次元LSIです。当社は3次元LSIの上下のチップを接続する技術であるシリコン貫通ビア(TSV: Through Silicon Via)の加工を得意としており、各種装置を提供しています。

→シリコン貫通ビア(TSV: Through Silicon Via)の紹介はこちら