感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iPC
不占空間的量產型系統
概要
採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的高密度電漿蝕刻系統. 具備真空晶圓載放室及大規模生產所需的重複性及穏定性. 專為小晶圓(例如4吋)生產, 可設置在空間有限的無塵室內.
特色
新的ICP電漿源"HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil(超對稱旋渦線圈)
能有效且穏定地使用高功率射頻(2 kW or more)同時保持良好的均勻性.
高排氣系統
排氣系統直接連接反應室可提供小氣流, 小氣壓到大氣流大氣壓的多種條件的製程.
終點監測(選配)
利用干涉式及分光式光譜的終點監測儀. 可以偵測, 所需蝕刻的膜厚終點.
易於保養的設計
渦輪真空幫浦(TMP) 整合為1個組件. 易於更換.
應用
專為化合物半導體(例如: GaN, GaAs, InP. ettc)的高精密製程.
SiC及SiO₂的高速製程.
蝕刻鐵電性材料(PZT, BST, SBT, SBT), 電極材料 (Pt, Au, Ru, Al) 以及其他難蝕刻的材料
