感應耦合式(ICP-RIE)電漿蝕刻系統RIE-400iPC
不占空間的量產型系統

Description

採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的高密度電漿蝕刻系統. 具備真空晶圓載放室及大規模生產所需的重複性及穏定性. 專為小晶圓(例如4吋)生產, 可設置在空間有限的無塵室內.

Key Features and Benefits

新的ICP電漿源"HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil(超對稱旋渦線圈)

能有效且穏定地使用高功率射頻(2 kW or more)同時保持良好的均勻性.

高排氣系統

排氣系統直接連接反應室可提供小氣流, 小氣壓到大氣流大氣壓的多種條件的製程.

終點監測(選配)

利用干涉式及分光式光譜的終點監測儀. 可以偵測, 所需蝕刻的膜厚終點.

易於保養的設計

渦輪真空幫浦(TMP) 整合為1個組件. 易於更換.

Applications

專為化合物半導體(例如: GaN, GaAs, InP. ettc)的高精密製程.

SiC及SiO₂的高速製程.

蝕刻鐵電性材料(PZT, BST, SBT, SBT), 電極材料 (Pt, Au, Ru, Al) 以及其他難蝕刻的材料